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Mémoire RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19
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CARACTÉRISTIQUES
DESCRIPTION
DESCRIPTION
DESCRIPTION
- DESCRIPTION
- Technologie: DDR4
- Tension:
- 1.2 V
- 1,2 V
- Type: Mémoire (RAM)
- Latence: CL19
- Connexions: DIMM
- Mémoire RAM: 4 GB RAM
- vitesse: 2666 MHz
- Type de mémoire: DDR4
- Compatible: PC/Server
- Capacité: 4 GB
- Mémoire interne: 4 Go
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
- Type de mémoire interne: DDR4
- Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
- composant pour: PC/serveur
- Latence CAS: 19
- Canaux de mémoire: Single-channel
- Mémoire de tension: 1.2 V
- Type d'emballage: Ampoule
Si vous êtes passionné d'informatique et d'électronique, si vous êtes à la pointe de la technologie et qu'aucun détail ne vous échappe, achetez Mémoire RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 au meilleur prix.
General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com
PNY Performance. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19
General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com